Афанасьев М.С., Левашов С.А., Левашова А.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Выбор оптимального технологического режима формирования сегнетоэлектрических пленок на кремниевых подложках. СОВРЕМЕННЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ , 2014 , 2 (15). С. 128-129. ISSN 2308-8060
|
Текст
12597939.pdf Загрузить (168kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
С целью создания нового конструкционного материала для энергонезависимой памяти получены сегнетоэлектрические пленки Ba 0 , 8Sr 0 , 2TiO 3 на p-Si(100)-подложках методом высокочастотного (ВЧ) распыления поликристаллической мишени в атмосфере кислорода при различных технологических режимах. Установлено, что наиболее подходящие по требуемым свойствам являются пленки, полученные при мощности ВЧ-разряда 230 Вт и температуре подложки 596°С.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/883 |
 |
Изменить объект |
