Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М. ДВУХЦВЕТНЫЙ ФОТОДЕТЕКТОР ВИДИМОЙ ЧАСТИ СПЕКТРА НА ОСНОВЕ БРЭГГОВСКОГО РЕФЛЕКТОРА ZnSe/ZnS/GaAs. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2019 , 64 (10). С. 1038-1042. ISSN 0033-8494
|
Текст
R&E N10 pp.1038-1042 (2019).pdf Загрузить (988kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Исследовано влияние распределенного брэгговского рефлектора (РБР) ZnSe/ZnS/GaAs на характеристики спектрального отклика фотодиода на основе выпрямляющих контактов в системе металл– полупроводник–металл (МПМ). Получено хорошее соответствие расчетных и экспериментальных спектров фотоотражения гетероструктуры ZnSe/ZnS/GaAs. Показано, что МПМ-диод обеспечивает двухцветный отклик детектора на длинах волн 420 и 472 нм, резкий спад фоточувствительности вдлинноволновой части сигнала отклика, высокую квантовую эффективность (53%) и низкий темновой ток (5 × 10–10 А). Найдено, что узкополосный двухцветный отклик детектора может быть подстроен к желаемой длине волны путем соответствующего выбора параметров гетероструктуры, формирующей брэгговский рефлектор.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 218 лаб. химических методов технологии и анализа 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8808 |
 |
Изменить объект |
