Аверин С.В., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М., Темирязева М.П. МЕТАЛЛ–ПОЛУПРОВОДНИК–МЕТАЛЛ-ДЕТЕКТОРЫ ZnS/GaP ДЛЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ И ВИДИМОЙ ЧАСТИ СПЕКТРА С ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕСТРАИВАЕМОЙ СПЕКТРАЛЬНОЙ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2023 , 68 (9). С. 924-929.
|
Текст
RDE0924.pdf Загрузить (1MB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Высококачественные эпитаксиальные слои ZnS выращены на полупроводниковых подложках GaP методом MOCVD. Изготовлены и исследованы фотодетекторы видимой и УФ-части спектра на ос- нове встречно-штыревых Шоттки барьерных контактов металл–полупроводник–металл (МПМ) к полупроводниковой структуре ZnS/GaР. Детекторы демонстрируют низкие величины темновых токов. Установлена зависимость характеристик спектрального отклика детекторов от напряжения смещения. Найдено, что длинноволновая граница отклика ZnS/GaP МПМ-детекторов может сдвигать- ся с 355 до 450 нм при изменении напряжения смещения с 10 до 30 В. На длине волны максимальной фоточувствительности 450 нм ампер-ваттная чувствительность детектора составила 0.3 А/Вт при напря- жении смещения 60 В, а квантовая эффективность 82%.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 196 лаб. спин-волновых процессов в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн 218 лаб. химических методов технологии и анализа 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8699 |
 |
Изменить объект |
