Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М. Узкополосный МПМ-детектор видимой части спектра на основе гетероструктуры ZnCdSe/ZnSSe/GaAs. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2021 , 66 (2). С. 181-184. ISSN 0033-8494
|
Текст
RDE0181.pdf Загрузить (377kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Представлены результаты экспериментальных исследований фотодиодов на основе встречно-шты- ревых МПМ (металл-полупроводник-металл) Шоттки барьерных контактов к гетеробарьерной структуре ZnCdSe/ZnSSe/GaAs. Детектор обеспечивает узкополосный отклик (FWHM = 4.3 нм) на длине волны 460 нм, резкий спад фоточувствительности в коротковолновой части сигнала отклика, высокую ампер-ваттную чувствительность и низкий темновой ток.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 218 лаб. химических методов технологии и анализа 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8682 |
 |
Изменить объект |
