Sergeev V. A., Hodakov A. M. Thermoelectric Model of the InGaN/GaN Light Emission Diode with Allowance for the Substrate Heterostructure Effect. Russian Microelectronics.- 2018.- Vol. 47, № 7.- pp. 1–4. , 2019 . С. 1-4.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Thermoelectric Model of the InGaN/GaN Light Emission Diode with Allowance for the Substrate Heterostructure Effect
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Сергеев В.А., Ходаков А.М. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8538 |
 |
Изменить объект |
