Фотоиндуцированное перераспределение заряда и его влияние на экситонные состояния в гетероструктурах Zn(Cd)Se/ZnMgSSe/GaAs с квантовыми ямами

Шевцов С.В., Адиятуллин А.Ф., Свиридов Д.Е., Козловский В.И., Кузнецов П.И., Николаев С.Н., Кривобок В.С. Фотоиндуцированное перераспределение заряда и его влияние на экситонные состояния в гетероструктурах Zn(Cd)Se/ZnMgSSe/GaAs с квантовыми ямами. Физика твёрдого тела , 2014 , 56 (4). С. 769-778. ISSN 0367-3294

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)

Аннотация

Методами сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектроскопии в диапазоне температур 5-300 K исследовано фотоиндуцированное перераспределение заряда в гетероструктурах с квантовыми ямами Zn(Cd)Se/ZnMgSSe/GaAs при различных режимах оптического возбуждения. Возбуждение образцов излучением с энергией кванта, превышающей ширину запрещенной зоны Zn(Cd)Se, приводит к накоплению электронов в квантовых ямах, регистрируемому с помощью сканирующей микроскопии сопротивления растекания тока. При умеренных плотностях возбуждения (до 25 W/cm2) и температурах 80-100 K плотность квазидвумерного электронного газа, формирующегося в квантовых ямах, на несколько порядков превышает плотность электрон-дырочных пар, генерируемых возбуждающим излучением. Избыточная концентрация электронов в квантовой яме приводит к уширению экситонных резонансов и увеличению относительной интенсивности линии излучения связанного на доноре экситона, а также определяет рост квантового выхода люминесценции по мере увеличения интенсивности возбуждения. Дополнительная подсветка с энергией кванта, меньшей ширины запрещенной зоны Zn(Cd)Se, уменьшает концентрацию избыточных электронов в квантовых ямах. Данное влияние подсветки наблюдается при температуре порядка 100 K и практически полностью подавляется при 5 K. Совокупность полученных результатов объясняется в рамках представлений об образовании потенциального барьера для электронов на интерфейсе ZnMgSSe/GaAs и особенностями рекомбинационных процессов в электрон-дырочной системе, содержащей примесные центры с разными зарядовыми состояниями. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проекты 12-02-33091, 12-02-01140, 12-02-00713), гранта Президента РФ (N MK-6455.2012.2) и ФЦП Министерства образования и науки РФ (соглашения N 8680, 8576, 8396).

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	218 лаб. химических методов технологии и анализа
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/852

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект