НЕ-ДРУДЕПОДОБНОЕ ПОВЕДЕНИЕ ФОТОИНДУЦИРОВАННОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ GAAS И SI В ГИГАГЕРЦОВОМ ДИАПАЗОНЕ ЧАСТОТ

Бутылкин В.С., Крафтмахер Г.А., Фишер П.С. НЕ-ДРУДЕПОДОБНОЕ ПОВЕДЕНИЕ ФОТОИНДУЦИРОВАННОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ GAAS И SI В ГИГАГЕРЦОВОМ ДИАПАЗОНЕ ЧАСТОТ. Институт физики твердого тела РАН, ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СОСТОЯНИЙ Сборник тезисов III Международной конференции, посвященной 60-летию ИФТТ РАН. Под редакцией Б.Б. Страумала . Черноголовка, 2023 Издательство: Институт физики твердого тела РАН, 2023.

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)

Аннотация

В настоящее время с развитием микроволновой фотоники, связанной с передачей, приемом и преобразованием информации с помощью волн микроволнового диапазона и фотонных систем, востребованы оптически управляемые мета(нано)-структуры и полупроводники как элементы управления в них. В связи с этим исследована фотоиндуцированная диэлектрическая проницаемость полупроводников в микроволновом диапазоне, учитывая наблюдаемые существенные различия в ТГц -диапазоне (друдеподобное поведение в рамках механизма свободных носителей заряда, и в ГГц-диапазоне (не-друдеподобное). Общность результатов измерений, полученных для полупроводников разных типов (прямозонного GaAS и непрямозонного Si) в разных электродинамических системах (волноводы, резонаторы, метаструктуры), свидетельствует о закономерном характере наблюдаемой взаимосвязи между явлениями в фотонике и электродинамике на микроволнах.

Тип объекта: Другой
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 137 лаб. проблем дифракции
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/8494
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект