Бутылкин, В. С., Фишер П.С., Крафтмахер Г.А., Казанцев Ю.Н., Каленов Д.С., Мальцев В.П., Пархоменко М.П. ЭКСИТОННЫЙ ВКЛАД В ФОТОИНДУЦИРОВАННУЮ ГИГА- И ТЕРАГЕРЦОВУЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПРОНИЦАЕМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Радиотехника и электроника , 2022 , 67 (12). С. 1185-1191.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
В рамках единого подхода, базирующегося на использовании матрицы плотности экситонов, исследована фотоиндуцированная диэлектрическая проницаемость ε полупроводников в области объединения гигагерцового (ГГц) и терагерцового (ТГц) диапазонов частот. Выявлено существенное различие особенностей поведения ε в ГГц- и ТГц-диапазонах. Показано, что с ростом мощности Pλ оптического облучения Re ε убывает на частотах ω > Δωex (ТГц-диапазон, друдеподобное поведение) и увеличивается при ω < Δωex (ГГц-диапазон, не-друдеподобное поведение); Δωex – диапазон частот переходов с участием наиболее заселенных экситонных уровней. Рост Im ε с Pλ максимален в середине Δωex и ослабевает при удалении ω от Δωex. Особенности при ω < Δωex исследованы измерениями Im εGHz(Pλ) и Re εGHz(Pλ) при волоконно-оптическом облучении (Pλ = 0…370 мВт, λ = 0.97 мкм) образцов Si в волноводном резонаторе (f = ω/2π = 4.7 ГГц) и измерениями динамики пропускания T(Pλ) в свободном пространстве (f = 8…36 ГГц). Обнаружено, что Re εGHz и Im εGHz с ростом Pλ увеличиваются, а пропускание убывает, приближаясь к насыщению при Pλ > 200 мВт. При одинаковой мощности Pλ пропускание увеличивается с понижением частоты.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 137 лаб. проблем дифракции |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8487 |
 |
Изменить объект |
