Предельные параметры транзистора на основе гидрированного алмаза.

Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Предельные параметры транзистора на основе гидрированного алмаза. СОВРЕМЕННЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ , 2013 , 2 (14). С. 233-235. ISSN 2308-8060

[img]
Предварительный просмотр
Текст
233.pdf

Загрузить (296kB) | Предварительный просмотр
Официальный URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=21850164

Аннотация

Приводятся результаты расчета предельных параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе гидрированного алмаза. Показано, что при длине канала транзистора 0,2 мкм, напряжении смещения затвора -3 В и напряжении смещения стока -20 В данный транзистор может развивать удельную мощность 0,93 Вт/мм с единицы ширины затвора на частоте 15 ГГц. Для достижения выходной мощности 50 Вт необходима суммарная ширина затвора 54 мм.

Тип объекта: Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/848

Доступные версии этого объекта

Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект