Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В.
ЭФФЕКТ ФРАНЦА–КЕЛДЫША В СТРУКТУРАХ
КРЕМНИЙ–СВЕРХТОНКИЙ (3.7 нм) ОКИСЕЛ–ПОЛИКРЕМНИЙ.
РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА
, 2023
.
ISSN 0033-8494
Аннотация
Обнаружено проявление эффекта Франца–Келдыша при освещении непрямым дневным светом структур Al–n+-Si:P–SiО2–(100) n-Si со сверхтонким (3.7 нм) окислом. Показано, что использование подсветки даже при малых полевых напряжениях (до 3 В) приводит к росту туннельного тока через окисел по сравнению с током в условиях темноты на три порядка. Построена модель влияния излучения на процесс туннелирования электронов через сверхтонкий изолирующий слой. Сначала в результате эффекта Франца–Келдыша происходит захват кванта излучения электроном и туннелирование данного носителя заряда через барьер на более высоком, по сравнению с темнотой, уровне. После попадания носителя заряда в полупроводник его энергии хватает для нескольких актов рождения пар электрон–дырка в ходе ударной ионизации кремния.
Доступные версии этого объекта
-
ЭФФЕКТ ФРАНЦА–КЕЛДЫША В СТРУКТУРАХ
КРЕМНИЙ–СВЕРХТОНКИЙ (3.7 нм) ОКИСЕЛ–ПОЛИКРЕМНИЙ. (deposited 20 Окт 2023 18:54)
[В настоящее время Отображен]
Только для зарегистрированных пользователей
|
Изменить объект |