Afanasiev M.S., Belorusov D. A., Kiselev D.A., Luzanov V.A., Chucheva G.V. Formation and study of metal-insulator-semiconductor structures based on hafnium oxide films. Physics of the Solid State , 2023 . ISSN 1063-7834
 | Существует более поздняя версия этого объекта в наличии. |
|
Текст
55995.pdf Загрузить (1MB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Films of hafnium oxide (HfO2) were synthesized on a silicon substrate by magnetron sputtering of a target with a similar composition. The results of studies of the structural composition of HfO2 films and the electrical properties of metal-insulator-semiconductor (Ni-HfO_2-n-Si) structures are presented Keywords: Metal-dielectric-semiconductor (MDS) structures, hafnium oxide (HfO2) ferroelectric films, piezoelectric response, microstructure, electrical properties
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Лузанов В.А. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 216 лаб. технологических процессов твердотельной электроники 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8464 |
Доступные версии этого объекта
- Formation and study of metal-insulator-semiconductor structures based on hafnium oxide films. (deposited 20 Окт 2023 18:53) [В настоящее время Отображен]
 |
Изменить объект |
