Механизм образования пленкообразующей среды при высокочастотном напылении сегнетокерамики состава BaxSr1-xTiO3

Афанасьев М.С. Механизм образования пленкообразующей среды при высокочастотном напылении сегнетокерамики состава BaxSr1-xTiO3. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники , 2022 .

[img]
Предварительный просмотр
Текст
492-1365-3-PB.pdf

Загрузить (565kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Рассмотрен механизм образования пленкообразующей среды при высокоча стотном напылении пленок титаната бария стронция (BaxSr1-xTiO3) в кислороде. Исследова ние пленкообразующей среды методом масс-спектрометрии показало, что при распылении BaxSr1-xTiO3 в кислородной плазме энергия ионов кислорода 10-17—10-16 Дж достаточна для перевода многоатомных молекул с поверхности в газовую фазу и недостаточна для разрушения молекулы на составные компоненты как в веществе мишени, так и в газовой фазе. Анализ масс-спектров показал, что в диапазоне напряжений 450—550 В, в газовой фазе регистрируются ионизированные частицы с массовым числом 190—200, близкие к молярной массе соединения Ва0,8Sr0,2TiO3±х. Выращенные поликристаллические пленки по химическому составу аналогичны составу мишени Ва0,8Sr0,2TiO3. При увеличении напряжении смещения в пленкообразующей среде вместе с Ва0,8Sr0,2TiO3±х регистрируются ионы с более низкими массами, причем концентрация числа ионов с низкой массой увеличивается с возрастанием напряжения смещения,а сформированные поликристаллические пленки, наряду с Ва0,8Sr0,2TiO3, содержат соединения ВаTiO3, SrTiO3, ВаO и SrO. Показана динамика образования пленкообразующей среды при напылении пленок Ba0,8Sr0,2TiO3. Установлены параметры высокочастотного разряда, условия и режимы, необходимые для воспроизводимого выращивания пленок BaxSr1-xTiO3

Тип объекта: Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/8463
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект