Effect of dopant on piezoelectric and dielectric properties of thin films Bi3.25La0.75Ti3−xAxO12 (A — Mn, Zr, Nb)

Kiselev D.A., Starukhina S.S., Ilina T.S., Kuharskaya N.F., Naryshkina V.G., Sivov A.A., Chucheva G.V. Effect of dopant on piezoelectric and dielectric properties of thin films Bi3.25La0.75Ti3−xAxO12 (A — Mn, Zr, Nb). Physics of the Solid State , 2022 . ISSN 1063-7834

Предварительный просмотр

Текст 54236.pdf Загрузить (569kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

It is shown that microstructure, dielectric and piezoelectric properties change in films based on lanthanumsubstituted bismuth titanate (BLT) depending on the alloying impurity material, which leads to changes in coercive voltage, internal displacement field and control coefficient.

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Киселев Д.А., Старухина С.С., Ильина Т.С., Кухарская Н.Ф., Нарышкина В.Г., Сивов А.А., Чучева Г.В.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/8457

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект