Зяблюк К.Н., Концевой Ю.А., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Параметры алмазных полевых транзисторов, необходимые для работы в усилителях ГГц диапазона. ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. СЕРИЯ 2: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ , 2013 , 1 (230). С. 3-8. ISSN 2073-8250
|
Текст
Zyabluk_3_8.pdf Загрузить (590kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Рассчитаны параметры алмазных полевых транзисторов с затвором Шоттки, необходимые для работы в усилителях ГГц диапазона. Найдено, что алмазный транзистор с длиной затвора 0,2 мкм может обеспечить коэффициент усиления 13 дБ на частоте 15 ГГц в цепи с нейтрализацией обратной связи и имеет частоту отсечки 60 ГГц. Был проведён расчёт предельных параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе гидрированного алмаза. Показано, что при длине канала транзистора 0,2 мкм, напряжении смещения затвора -3 В и напряжении смещения стока -20 В данный транзистор может развивать удельную мощность 0,93 Вт/мм с единицы ширины затвора на частоте 15 ГГц. Для достижения выходной мощности 50 Вт необходима суммарная ширина затвора 54 мм.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/845 |
 |
Изменить объект |
