Осаждение гетероэпитаксиальных слоев топологического диэлектрика Bi2Se3 в системе триметилвисмут – изопропилселенид – водород на подложках (0001) Al2O3, и (100) GaAs

Кузнецов П.И., Лузанов В.А., Якущева Г.Г., Темирязев А.Г., Щамхалова Б.С., Житов В.А., Захаров Л.Ю. Осаждение гетероэпитаксиальных слоев топологического диэлектрика Bi2Se3 в системе триметилвисмут – изопропилселенид – водород на подложках (0001) Al2O3, и (100) GaAs. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2016 , 61 (2). С. 170-176. ISSN 0033-8494

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)
Тип объекта: Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 196 лаб. спин-волновых процессов в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн
215 лаб. проблем субмикронной технологии
216 лаб. технологических процессов твердотельной электроники
218 лаб. химических методов технологии и анализа
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/842
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект