Кузнецов П.И., Лузанов В.А., Якущева Г.Г., Темирязев А.Г., Щамхалова Б.С., Житов В.А., Захаров Л.Ю. Осаждение гетероэпитаксиальных слоев топологического диэлектрика Bi2Se3 в системе триметилвисмут – изопропилселенид – водород на подложках (0001) Al2O3, и (100) GaAs. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2016 , 61 (2). С. 170-176. ISSN 0033-8494
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 196 лаб. спин-волновых процессов в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн 215 лаб. проблем субмикронной технологии 216 лаб. технологических процессов твердотельной электроники 218 лаб. химических методов технологии и анализа |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/842 |
 |
Изменить объект |
