Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических пленок.

Афанасьев М.С., Митягин А.Ю., Чучева Г.В. Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических пленок. Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. , 2013 , 13 (1). С. 7-9. ISSN 1817-3020

Предварительный просмотр

Текст 16824929.pdf Загрузить (700kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Созданы на кремниевых подложках n и р-типа гетероструктуры металл–сегнетоэлектрик–полупроводник (МСЭП). Реализованы в МСЭП-структуре электронно-управляемые конденсаторные элементы. Измеренные при напряжении смещения ±50 В параметры конденсаторных элементов показали, что ход вольтфарадных характеристик конденсаторных элементов на кремнии р-типа зеркально отражает ход вольтфарадных характеристик на кремнии n-типа

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/822

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект