Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А. Рентгеновский детектор на основе CdZnTe в режиме поперечной и продольной фотопроводимости. ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ , 2022 , 92 (вып.1). С. 152-154. ISSN 0044-4642
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Рассмотрены режимы поперечной и продольной относительно направления излучения фотопроводимости в полупроводниковых детекторах на основе CdZnTe. В расчетах внутренняя область детектора представлена в виде параллельных слоев поглощения излучения. Проведено сравнение расчетов с экспериментально измеренными фототоками детектора с поперечным сечением 2x2 mm в зависимости от направления облучения его рентгеновскими лучами. Из соотношений фототоков в диапазоне энергий рентгеновского излучения 35-72 keV определен линейный коэффициент поглощения CdZnTe-детектора.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Ю.М. Дикаев, А.А. Кудряшов |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8190 |
 |
Изменить объект |
