Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А. Рентгеновские детекторы на основе эпитаксиальных структур GaAs и монокристаллов CdZnTe. Биомедицинская радиотехника , 2019 , 22 (7). С. 75-81.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Предложены и исследованы рентгеновские детекторы на основе GaAs и CdZnTe, которые были использованы нами во флюорографических и биологических исследованиях. Исследованы основные электрофизические свойства детекторов. Приведены зависимости чувствительности детекторов из эпитаксиального GaAs от эффективной энергии рентгеновского излучения и от угла скольжения рентгеновского луча. Представлена зависимость чувствительности детекторов из CdZnTe от эффективной энергии рентгеновского излучения. Показан эффект зависимости чувствительности от направления рентгеновского излучения относительно электрического поля в детекторе, создаваемого напряжением смещения. По результатам исследования структур GaAs и CdZnTe были изготовлены многоэлементные линейки детекторов. Представлены фотографии рентгеновских снимков с применением разработанных многоканальных детекторов. Ключевые слова: эпитаксиальная структура GaAs, монокристалл, рентгеновский детектор, эффективная энергия, многоэлементный детектор, рентгеновское изображение.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Ю.М. Дикаев, А.А. Кудряшов |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8188 |
 |
Изменить объект |
