Диффузия германия из захороненного слоя SiO2 и формирование фазы SiGe

Тысченко И.Е., Хмельницкий Р.А., Сарайкин В.В., Володин В.А., Попов В.П. Диффузия германия из захороненного слоя SiO2 и формирование фазы SiGe. Физика и техника полупроводников , 2021 , 56 (2). С. 192-198. ISSN 0015-3222

Предварительный просмотр

Текст Тысченко22_Диффузия германия из захороненного слоя SiO2 и формирование фазы SiGe.pdf Загрузить (777kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Изучена диффузия Ge из захороненного слоя SiO2 структуры кремний-на-изоляторе в зависимости от температуры отжига. Показано, что при температуре отжига ниже 900oC практически весь Ge сосредоточен в области имплантации в слое SiO2. После отжига при температуре 1100oC миграция ионно-имплантированного Ge сопровождается несколькими процессами: диффузией в SiO2, накоплением на границах раздела Si/SiO2, диффузией в кремний и испарением из кремния. При 1100oC диффузия Ge из SiO2 к границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе происходит с коэффициентом диффузии ~ 2·10-15 см2/с, что на 2 порядка величины выше его равновесного значения. После отжига при 1100oC, в зависимости от толщины слоя кремния, обнаружено формирование фазы Ge или SiGe. Ключевые слова: SiGe, ионная имплантация, диффузия, кремний-на-изоляторе.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/8125

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект