Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST

Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Сивов А.А., Чучева Г.В. Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST. Физика твёрдого тела , 2021 , 63 (11). С. 1895-1900. ISSN 0367-3294

Предварительный просмотр

Текст 51594.pdf Загрузить (482kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST) синтезированы методом высокочастотного (ВЧ) распыления на буферный слой сегнетоэлектрической пленки состава PbZrxTi1-xO3 (PZT). Представлены сравнительные результаты электрофизических свойств трех различных МДМ-структур: Pt/BST/Ni, Pt/PZT/Ni и Pt/PZT-BST/Ni. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-металл, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, буферный слой, электрофизические свойства.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/8122

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект