Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. Слабое проявление эффекта поля в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем BaxSr1-хTiO3. Физика твёрдого тела , 2021 , 63 (11). С. 1887-1889. ISSN 0367-3294
|
Текст
51592.pdf Загрузить (98kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Проведены высокочастотные измерения емкости и проводимости объектов Ni-Ba0.8Sr0.2TiO3-Pt и Ni-Ba0.8Sr0.2TiO3-Si с толщиной сегнетоэлектрика 120 nm в параэлектрической фазе. Показано, что во всем диапазоне внешних напряжений электрическое поле в Si практически не проникает. Подтвержден сделанный ранее вывод о причинах слабого проявления эффекта поля — происходит практически полное экранирование поляризации сегнетоэлектрического слоя зарядами электронных ловушек на контакте Ba0.8Sr0.2TiO3-Si. Отмечено, что резкое снижение за счет пассивации активности поверхностных ловушек позволит реализовать транзисторы на базе структур металл-BST-Si с работающим поверхностным каналом неосновных носителей заряда и обеспечит построение высококачественных ячеек энергонезависимой памяти FeRAM.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8121 |
 |
Изменить объект |
