Яременко Н.Г., Карачевцева М.В., Страхов В.А., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А. Фотолюминесцентный метод определения слоевой концентрации электронов в транзисторных наногетероструктурах. In: IX научно-практическая конференция "Нанотехнологии - производству", 10-12 апреля 2013 г., г. Фрязино, Московская область , ООО Издательство "Янус-К", 127411 Москва , С. 84-85.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Развит фотолюминесцентный метод определения концентрации двумерных электронов в модулированно-легированных структурах по температурной зависимости отношения интенсивностей полос, вызванных переходами 2e-1hh и 1e-1hh. Полученные таким методом значения концентраций в транзисторных PHEMT-структурах хорошо согласуются с результатами холловских измерений.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Постер) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/812 |
 |
Изменить объект |
