Расчёт толщины висмутовых нанослоёв, согласованных с характеристическим импедансом поля двух встречных электромагнитных волн

Пятайкин И.И. Расчёт толщины висмутовых нанослоёв, согласованных с характеристическим импедансом поля двух встречных электромагнитных волн. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал] , 2021 (10). С. 1-25. ISSN 1684-1719

Предварительный просмотр

Текст JRE_2021_published version.pdf Загрузить (419kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

На основе современных данных о поверхности Ферми висмута и процессах электронной и дырочной релаксации в нём проведена оценка длины свободного пробега l_0 в объёмном Bi при комнатной температуре. Обоснована ненулевая величина коэффициента зеркальности отражения носителей заряда от поверхности p в данном материале. В качестве значения этого параметра при комнатной температуре предложено использовать аналогичную величину, найденную при исследовании классического размерного эффекта в плёнках висмута в работе Хоффмана и Фрэнкла [Phys. Rev. B 3 (1971) 1825]. Используя полученные значения l_0 и p, вычислена толщина d_pk висмутового слоя, при которой его импеданс сравнивается с характеристическим импедансом поля двух электромагнитных волн, распространяющихся навстречу друг другу в вакууме. Установлено, что полученное значение d_pk почти в пять раз меньше величины, найденной ранее в работе Каплана [JOSA B 35 (2018) 1328]. Показано, что полученная Капланом довольно большая толщина d_pk в висмуте вызвана использованием сильно завышенного значения длины свободного пробега l_0, заимствованного из работы Пиппарда и Чемберса [Proc. Phys. Soc. A. 65 (1952) 955], и заниженной величиной коэффициента p, принятой им при расчёте. Исходя из полученных в настоящей статье данных о величине параметра d_pk и влиянии на него поверхностного электрического заряда, обсуждаются перспективы получения и практического использования висмутовых слоёв толщины d_pk в спектроскопических устройствах, предложенных Капланом и Зельдовичем [Opt. Lett. 31 (2006) 335].

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Пятайкин И.И.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	171 лаб. полупроводниковых приборов
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/8052

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект