Dependence of the Electrophysical Characteristics of Metal–Ferroelectric–Semiconductor Structures on the Field-Electrode Material

Afanasiev M. S., Belorusov D. A., Kiselev D. A.,, Sivov A. A. Dependence of the Electrophysical Characteristics of Metal–Ferroelectric–Semiconductor Structures on the Field-Electrode Material. Semiconductors , 2020 , 54 (11). С. 1225-1229. ISSN 1063-7826

Предварительный просмотр

Текст 10.1134@S1063782620110032.pdf Загрузить (658kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Films of the composition Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST 80/20) are synthesized on a silicon substrate by the method of the high-frequency sputtering of a polycrystalline target. The results of investigations of the film composition, the electrophysical properties of capacitor structures based on them, and the dependence of these properties on the material (Al, Cu, Ni, Cr) of the upper electrode are presented.

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Сивов А.А., Чучева Г.В.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/7929

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект