The Coulomb Impurity in 2D Materials with Strong Spin–Orbit Interaction

Gindikin Yasha, Sablikov Vladimir A. The Coulomb Impurity in 2D Materials with Strong Spin–Orbit Interaction. physica status solidi (b) , 2020 . р. 2000501. ISSN 0370-1972

Предварительный просмотр

Текст Phys.Stat.Solidi B,XX,202000501(2020)[Gindikin,Sablikov-The Coulomb Impurity in 2D Materials with Strong SOI].pdf Загрузить (434kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

It is shown that the spin–orbit interaction (SOI) produced by the Coulomb fields of charged impurities provides an efficient mechanism for bound states formation. The mechanism is realized in 2D materials with a sufficiently strong Rashba SOI provided that the impurity locally breaks the structure inversion symmetry in the direction normal to the layer.

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Гиндикин Я.В. Сабликов В.А.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	199 лаб. теоретических проблем микроэлектроники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/7897

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект