Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)−поликремний.

Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)−поликремний. Физика и техника полупроводников , 2021 , 55 (1). С. 24-27. ISSN 0015-3222

Предварительный просмотр

Текст 50379.pdf Загрузить (297kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Приведены результаты исследований структур кремний−сверхтонкий окисел (42 �A)−поликремний, устойчивых к полевым повреждениям. Выяснилось, что происходящая с изменением полевого напряжения суммарная перезарядка сконцентрированных у границы раздела подложка–изолятор локализованных электронных состояний и неосновных носителей заряда близка к аналогичной характеристике структур с толщиной окисла 37 �A. Ток через SiО2 в состоянии обогащения полупроводника увеличивается с напряжением гораздо сильнее, чем в состоянии обеднения. Причем асимметрия вольт-амперных характеристик по отношению к полярности падающего на изоляторе напряжения у образцов с толщиной SiО2 42 �A более резко выражена, чем у структур с окислом 37 �A. Объяснение такой асимметрии возможно, если потенциальный рельеф в изоляторе имеет максимум, существенно смещенный к границе раздела окисел — поликремний, а потенциал на ветви со стороны полупроводника значительно спадает к контакту с подложкой.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/7862

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект