Афанасьев М.С., Гольдман Е.И., Киселев Д.А., Левашов С.А., Сивов А.А., Чучева Г.В. Влияние температуры синтеза пленок BST 80/20 на их микроструктуру и электрофизические свойства. In: НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОФОТОНИКА И НЕЛИНЕЙНАЯ ФИЗИКА, 17-19 сентября 2019, Саратов , Техно-Декор , С. 144-145.
|
Текст
№ 13_Левашов_Влияние_Саратов_2019.pdf Загрузить (291kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Настоящая работа посвящена экспериментальным исследованиям влияния температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства сегнето- электрических пленок состава Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST). Изучение электрофизических свойств структур металл-диэлектрик-металл (МДМ) проводилось на измерительном автоматизированном стенде [1] с использованием прецизионного измерителя LCR Agilent E4980A, портативного компьютера с доработанным программным обеспечением и специальной камеры, снабженной нагревательным столиком с термостабилизацией. Эффективная диэлектрическая проницаемость структуры вычислялась по формулам для плоского конденсатора на основе измерений, выполненных по методике, изложенной в работе [2]. Топография пленок BST получена в контактном режиме на сканирующем зондовом микроскопе MFP-3D SA (Asylum Research, США)использованием кантилевера марки Asyelec-02 (Asylum Research, США).
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Статья) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/7832 |
 |
Изменить объект |
