Coulomb pairing of electrons in thin films with strong spin-orbit interaction

Gindikin Yasha, Sablikov Vladimir A. Coulomb pairing of electrons in thin films with strong spin-orbit interaction. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures , 2019 , 108. С. 187-190. ISSN 13869477

[img]
Предварительный просмотр
Текст
Physica E,108(2019)187-190.pdf - Опубликованная версия

Загрузить (410kB) | Предварительный просмотр
Официальный URL: https://doi.org/10.1016/j.physe.2018.12.028

Аннотация

In low-dimensional structures with strong Rashba spin-orbit interaction (SOI), the Coulomb fields between moving electrons produce a SOI component of the pair interaction that competes with the potential Coulomb repulsion. If the Rashba SOI constant of the material is sufficiently high, the total electron-electron interaction becomes attractive, which leads to the formation of the two- electron bound states. We show that because of the dielectric screening in a thin film the binding energy is significantly higher as compared to the case of the bulk screening.

Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: Я.В. Гиндикин, В.А. Сабликов
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 199 лаб. теоретических проблем микроэлектроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/7473
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект