Резонансно-туннельный диод на основе гетеросистемы InGaAs/AlAs для субгармонического смесителя терагерцового диапазона

Дорофеев А.А., Гладышева Н.Б., Аверин С.В., Алкеев Н.В. Резонансно-туннельный диод на основе гетеросистемы InGaAs/AlAs для субгармонического смесителя терагерцового диапазона. In: Х Всероссийского семинара по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн, 29.02.2016-4.03.2016, Нижний Новгород , Издательство Нижегородского университета им. Н.И.Лобачевского , С. 26-27.

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)
Тип объекта: Доклад на конференции или семинаре (Доклад)
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона
257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/700
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект