Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М., Алкеев Н.В., Гладышева Н.Б. Селективный детектор UV-излучения на основе низкоразмерной гетероструктуры ZnCdS/ZnMgS/GaP. In: XIX международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, 10.03.2015-14.03.2015, Нижний Новгород , Издательство Нижегородского университета им. Н.И.Лобачевского , С. 417-418.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
На основе гетероструктуры ZnCdS/ZnMgS/GaP создан и исследован фотодетектор ультрафиолетового излучения. Детектор демонстрирует узкополосный отклик на длине волны 350 нм, определяемый составом квантовой ямы ZnCdS. При увеличении смещения наблюдается сдвиг максимальной чувствительности детектора на длину волны 450 нм, обусловленный проникновением электрического поля внешнего смещения в полуизолирующую GaP подложку.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Постер) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 218 лаб. химических методов технологии и анализа 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/693 |
 |
Изменить объект |
