Сергеев В.А., Ходаков А.М., Фролов И.В. Моделирование снижения оптической мощности InGaN/GaN светоизлучающего диода, вызванного диффузией примесных атомов в активную область. In: Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы: тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции, June 27 – July 1, 2017, Москва , р. 96.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Моделирование снижения оптической мощности InGaN/GaN светоизлучающего диода, вызванного диффузией примесных атомов в активную область
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Статья) |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Сергеев В. А., Ходаков А. М., Фролов И.В |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/6881 |
 |
Изменить объект |
