Thermoelectric Model of InGaN/GaN LEDs Taking into Account Influence of Heterostructure Substrate

Sergeev V. A.,, Hodakov А.М. Thermoelectric Model of InGaN/GaN LEDs Taking into Account Influence of Heterostructure Substrate. Russian Microelectronics , 2018 , 47 (7). С. 1-4. ISSN 1063-7397

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Thermoelectric Model of InGaN/GaN LEDs Taking into Account Influence of Heterostructure Substrate

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Сергеев ВА, Ходаков АМ
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/6877

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект