The quantitive analisys of silicon carbide surface smoothing by Ar and Xe claster ions

Ieshkin A.E., Kireev D.S., Ermakov Yu.A., Trifonov Artem /A.S., Presnov Denis /D.E, Garchev A.V., Anufriev Yu.V., Prokhorova I.G., Krupenin V.A., Chernish V.S. The quantitive analisys of silicon carbide surface smoothing by Ar and Xe claster ions. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B, Beam Interactions with Materials and Amoms , 2018 , 421. С. 27-31. ISSN 0168-9002

Полный текст не доступен из этого репозитория.
Официальный URL: http://2018,421, 27-31. DOI: 10.1063/1.5019250
Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: Иешкин А.Е.,Киреев Д.С.,Ермаков Ю.А.,Трифонов А.С., Преснов Д.Е., Ануфриев Ю.В., Прохорова И.Г., Крупениин В.А., Черныш В.С.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 193 лаб. физических свойств нанокомпозитных материалов для информационных технологий
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/6764
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект