Transversal Kerr effect of In1-xMnxAs layers prepared by ion implantation followed by pulsed laser annealing.

Gan’shina E.A., Golik L.L., Kun'kova Z.E., Bykov I.V., Novikov A.I., Rukovishnikov A.I., Yuan Ye., Zykov G.S. Transversal Kerr effect of In1-xMnxAs layers prepared by ion implantation followed by pulsed laser annealing. In: 7th Baikal International Conference "Magnetic materials. New Technologies" (BICMM-2016), August 22-26, 2016, Listvyanka village, Irkutsk region, Russia , Irkutsk: Publishing of Reprocentr A1, 2016, 232p. , С. 173-174.

Полный текст не доступен из этого репозитория.
Тип объекта: Доклад на конференции или семинаре (Доклад)
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Кунькова З.Э., Быков И.В., Новиков А.И., Руковишников А.И., Юань Е, Зыков Г.С.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 197 лаб. функциональной электроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/6511
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект