Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Электрические домены в сверхрешетках GaAs/AlAs с распределенным ТГц резонатором. In: XXII Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород , Труды XXII Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника , р. 538.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 171 лаб. полупроводниковых приборов 172 лаб. электронных процессов в полупроводниковых материалах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/6339 |
 |
Изменить объект |
