ЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ И ПРИМЕСНЫХ СОСТОЯНИЙ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ И НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ А3B5 И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ

Яременко Наталья Георгиевна ЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ И ПРИМЕСНЫХ СОСТОЯНИЙ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ И НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ А3B5 И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ. Докторская диссертация, Институт радиотехники и электроники, 2013.

Это последняя версия данного объекта.

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Целью работы является изучение электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе различных композиций полупроводников A3B5 и исследование физических эффектов, влияющих на люминесцентные свойства этих структур: коллективного взаимодействия двумерных носителей тока, резонансного захвата неравновесных носителей в квантовую яму, разупорядочения границ раздела, примесных и композиционных неоднородностей. Показано влияние амфотерного поведения кремния на природу нестехиометрических дефектов в Si-легированном эпитаксиальном GaAs. Изучены особенности зонной структуры в квантовых ямах разной конфигурации: модулированно-легированных, двойных туннельно-связанных и др. В легированных структурах n-AlGaAs/GaAs впервые экспериментально подтвержден осциллирующий характер зависимости эффективности захвата фотовозбужденных дырок в квантовую яму от ширины ямы. Исследовано влияние флуктуаций потенциала, вызванных случайным распределением примесей, на формирование спектров фотолюминесценции сильно легированного эпитаксиального InGaAsP и их зависимости от температуры и плотности оптического возбуждения. Предложены способы повышения эффективности вывода излучения в торцевых InGaAsP/InP-светодиодах за счет эффектов «многопроходности» в подложке InP. Развита фотолюминесцентная методика оценки слоевой концентрации электронов в модулированно-легированных структурах.

Тип объекта: Диссертация (Докторская)
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 173 лаб. микро- и наноэлектроники
257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/6273

Доступные версии этого объекта

Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект