Гольдман Е.И., Левашов С.А., Чучева Г.В. Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний. Физика и техника полупроводников , 2019 . ISSN 0015-3222
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Приведены результаты исследований особенностей вольтамперных и вольтфарадных характеристик структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний, устойчивых к полевым повреждениям. Оказалось, что происходящая с изменением полевого напряжения общая перезарядка сконцентрированных у границы раздела подложка-изолятор локализованных электронных состояний и неосновных носителей на порядок выше, чем у подверженных повреждению после полевого стресса образцов. Туннельная вольтамперная характеристика имеет существенно асимметричный вид: ток, протекающий из полевого электрода в кремниевую подложку, на несколько порядков меньше тока, протекающего из кремния в поликремний, при одинаковых значениях внешнего напряжения, падающего на изолирующий слой. Для объяснения такой асимметрии предположено, что в переходном слое от поликремния к окислу ветвь потенциального барьера, разделяющего полупроводниковые электрод и подложку, имеет высоту порядка 1 эВ и поэтому всегда препятствует электропереносу; для обратных потоков эта ветвь перестаёт ограничивать проводимость, как только уровень туннелирования станет выше её.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/6271 |
 |
Изменить объект |
