Елисеев М.А., Яременко Н.Г., Карачевцева М.В. Температурная зависимость эффективности захвата дырок в квантовые ямы гетероструктур n-AlGaAs/GaAs. Сборник трудов XIII Всероссийской конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика» , 2018 . С. 64-65.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Методом фотолюминесцентной спектроскопии исследована температурная зависимость эффективности захвата дырок в квантовые ямы гетероструктур n-AlGaAs/GaAs в диапазоне 77 K - 140 K. Проведены измерения интегральной интенсивности фотолюминесценции структур с разной шириной квантовых ям, соответствующей разной скорости захвата дырок (в условиях резонансного захвата и вне его). Показано, что в нерезонансных структурах скорость локального захвата дырок увеличивается с ростом температуры, а в резонансных структурах практически не меняется.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/6145 |
 |
Изменить объект |
