Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Вихрова О.В., Крюков Р.Н., Антонов И.Н., Толкачев Д.С., Алафердов А.В., Кунькова З.Э., Темирязева М.П., Темирязев А.Г. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А3В5, сильно легированных железом. Физика твёрдого тела , 2018 , 60 (11). С. 2137-2140. ISSN 0367-3294
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Экспериментально исследованы слои полупроводников InAs, InSb и GaSb, сильнолегированных железом в процессе выращивания методом импульсного лазерного нанесения. Установлено, что наилучшими температурами для формирования слоев на подложках GaAs(100) являются 250°С(InSb:Fe),300°C (InAs:Fe) и 350°C (GaSb:Fe). При высоких концентрациях Fe (более 10 ат.%) слои обладают ферромагнитными свойствами, выражающимися в появлении петли гистерезиса на магнитополевых зависимостях сопротивления Холла, отрицательного магнетосопротивления и в некоторых случаях – намагниченности ферромагнитного типа при комнатной температуре измерений. Атомы железа не изменяют тип проводимости слоев; при этом слои InAs:Fe, InSb:Fe обладают проводимостью n-типа, а GaSb:Fe – p-типа за счет собственных точечных дефектов.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 197 лаб. функциональной электроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/6139 |
 |
Изменить объект |
