Яременко Н.Г., Страхов В.А., Карачевцева М.В. Осцилляции скорости захвата неравновесных носителей в квантовые ямы гетероструктур AlGaAs/GaAs. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2018 , 63 (10). С. 1124-1129.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Методом фотолюминесцентной спектроскопии исследован процесс захвата неравновесных носителей в квантовую яму (КЯ) нелегированных AlGaAs/GaAs и модулированно-легированных n-AlGaAs/GaAs гетероструктур. Для обоих типов структур подтверждена осцилляционная зависимость интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) от ширины КЯ, вызванная резонансным захватом носителей в яму. Изучены зависимости интегральной интенсивности ФЛ от температуры и плотности оптического возбуждения в структурах, соответствующих разным условиям захвата (в резонансе и в минимуме осцилляций). Показано, что в нелегированных структурах эти зависимости имеют одинаковый вид при резонансном и слабом захвате в отличие от легированных структур, где эффективность захвата сильно влияет на характер этих зависимостей. В легированных структурах со слабым захватом зависимость интенсивности ФЛ от плотности возбуждения линейна, а в резонансных структурах она имеет суперлинейный вид вследствие увеличения скорости захвата дырок с ростом возбуждения. В резонансных легированных структурах с ростом возбуждения наблюдался сдвиг энергии перехода, который объяснен накоплением положительного заряда, возникающего вследствие разных темпов захвата электронов и дырок. Проведена оценка времен захвата дырок в максимуме и минимуме осцилляций: ≈ 15 пс и ≈ 800 пс соответственно.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/6124 |
 |
Изменить объект |
