Impact of oxygen stoichiometry on electroforming and multiple switching modes in TiN/TaOx/Pt based ReRAM

Sharath S. U., Joseph M. J., Vogel S., Hildebrandt E., Komissinskiy P., Kurian J., Schroeder T., Alff L. Impact of oxygen stoichiometry on electroforming and multiple switching modes in TiN/TaOx/Pt based ReRAM. Applied Physics Letters , 2016 , 109 (17). р. 173503. ISSN 0003-6951

Полный текст не доступен из этого репозитория.
Официальный URL: https://doi.org/10.1063/1.4965872
Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: Комиссинский Ф.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 233 лаб. физических основ функциональной тонкопленочной оксидной электроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/5988
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект