Измерение теплового сопротивления GaN HEMT по температурной зависимости его вольтамперной характеристики

Дорофеев А.А., Гладышева Н.Б., Кондратьев Е.С., Аверин С.В., Алкеев Н.В. Измерение теплового сопротивления GaN HEMT по температурной зависимости его вольтамперной характеристики. In: 11-ой Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы», 1-3 фераля 2017, Москва, Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова , Москва, Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова , С. 118-119.

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)

Аннотация

Предложен и опробован метод измерения теплового сопротивления GaN HEMTПо температурной зависимости его вольтамперной характеристики

Тип объекта:	Доклад на конференции или семинаре (Доклад)
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/5779

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект