Кузнецов П.И., Аверин С.В., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М. Наноструктуры ZnSe/ZnTe/GaAs для селективно-чувствительного детектирования видимой части спектра. In: VI Всероссийская конференция по наноматериалам с элементами научной школы для молодежи НАНО 2016, 22-25 ноября, Москва, ИМЕТ РАН, 22-25 ноября 2016, Москува, ИМЕТ РАН , ИМЕТ РАН , С. 544-545.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Ключевым моментом при создании эффективных фотодетекторов УФ и видимой части спектра является получение наногетероструктур широкозонных полупроводниковых соединений. Гетероэпитаксиальная структура выращена методом химического газофазного осаждения из металлоорганических соединений путем последовательного осаждения полупроводниковых слоев ZnSe, ZnTe (12 пар) наполуизолирующей подложкe GaAs.Спектральная характеристика фотодетектора созданного на основе такой гетероструктуры демонстрирует возможность селективного детектирования трех отдельных участков спектра видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 218 лаб. химических методов технологии и анализа |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/5777 |
 |
Изменить объект |
