Энергетическая структура топологических изоляторов семейства Bi 2TexSe(3-x) вблизи протяженных дефектов поверхности.

Федотов Н.И., Майзлах A.A., Семенов Н.Д., Кузнецов П.И., Лузанов В.А., Зайцев-Зотов С.В. Энергетическая структура топологических изоляторов семейства Bi 2TexSe(3-x) вблизи протяженных дефектов поверхности. XIII Российская конференция по физике полупроводников (2 – 6 октября 2017г., Екатеринбург,), Тезисы докладов Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН) , 2017 . р. 433.

Полный текст не доступен из этого репозитория.
Официальный URL: http://semicond2017.imp.uran.ru/index782c.html?q=c...
Тип объекта: Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 194 лаб. низкоразмерных атомных структур
216 лаб. технологических процессов твердотельной электроники
218 лаб. химических методов технологии и анализа
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/5696
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект