Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М., Алкеев Н.В., Гладышева Н.Б. Селективное детектирование УФ-излучения на основе низкоразмерных гетероструктур ZnCdS/ZnMgS/GaP и ZnCdS/ZnS/GaP. Физика и техника полупроводников , 2015 , 49 (11). С. 1441-1447. ISSN 0015-3222
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Исследованы детектирующие свойства периодических гетероструктур с квантовыми ямами ZnCdS, разделенными барьерными слоями ZnMgS или ZnS. Гетероструктуры выращены на полуизолирующих подложках GaP методом MOVPE. На их основе изготовлены МПМ-диоды с шириной встречно-штыревых контактов с барьером Шоттки и расстоянием между ними 3 мкм при общей площади детектора 100х100 мкм2. Детекторы обладают низкими темновыми токами (10-12 А) и при низких напряжениях смещения обеспечивают узкополосный отклик (FWHM=18 нм на длине волны 350 нм), определяемый составом квантовой ямы ZnCdS. При увеличении смещения до 70 В наблюдается сдвиг максимальной чувствительности детектора на длину волны 450 нм, обусловленный проникновением электрического поля внешнего смещения в полуизолирующую GaP подложку, при этом узкополосный отклик детектора на длине волны 350 нм сохраняется, то есть обеспечивается двухцветное детектирование светового излучения.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона 218 лаб. химических методов технологии и анализа 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/557 |
 |
Изменить объект |
