Усиление терагерцового излучения в плазмонной n-i-p-i структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда, Физика и техника полупроводников

Полищук О.В., Фатеев Д.В., Попов В.В. Усиление терагерцового излучения в плазмонной n-i-p-i структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда, Физика и техника полупроводников. Физика и техника полупроводников , 2017 , 51 (11). С. 1514-1519. ISSN 0015-3222

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	СФ-8 лаб. фотоники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/5518

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект