Acquiring MIS Structures Based on Bа0.8Sr0.2TiО3 Ferroelectric Films and their Properties

Afanasiev M.S., Nabiev A., Chucheva G.V., Guseinov D. Acquiring MIS Structures Based on Bа0.8Sr0.2TiО3 Ferroelectric Films and their Properties. Key Engineering Materials , 2018 , 781. С. 20-24. ISSN 1662-9795

Предварительный просмотр

Изображение Acquiring MIS Structures Based.gif Загрузить (112kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

The paper considers formation of Ba0.8Sr0.2TiO3 ferroelectric films of MIS structures on silicon wafer with magnetron sputtering in HF discharge of the initial target material from the polycrystal ferroelectric in the oxygen atmosphere. Dielectric and volt-farad characteristics of MIS structures have been explored, depending on formation modes of Ba0.8Sr0.2TiO3 ferroelectric films. The authors determined technological modes of film deposition for acquiring MIS structures with the best electrophysical properties.

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Афанасьев М.С., Набиев А., Чучева Г.В., Гусейнов Д.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/5149

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект