Chucheva G.V., Goldman E.I., Gulyaev Yu.V. Features of the field damage of ultra-thin insulating layers of the silicon oxide. In: Международная конференция "Микро- и наноэлектроника - 2018" (ICMNE-2018) с расширенной сессией "Квантовая информатика", 1-5 октября 2018г., г. Звенигород, Россия , МАКС Пресс , р. 158.
![[img]](http://cplire.ru:8080/style/images/fileicons/text.png) |
Текст
Abstract Submission-2 (Chucheva G.).doc Загрузить (102kB) |
Официальный URL: http://www.icmne.ftian.ru/index_r.shtml
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Чучева Г.В., Гольдман Е.И., Гуляев Ю.В. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/5139 |
 |
Изменить объект |
