The manifestation of rising of the impurity density of states after the field stress in increasing of the effective electron mobility in the inversion channel at the silicon-oxide contact

Chucheva G.V., Goldman E.I., Nabiev A., Naryshkina V.G. The manifestation of rising of the impurity density of states after the field stress in increasing of the effective electron mobility in the inversion channel at the silicon-oxide contact. In: Международная конференция "Микро- и наноэлектроника - 2018" (ICMNE-2018) с расширенной сессией "Квантовая информатика", 1-5 октября 2018г., г. Звенигород, Россия , МАКС Пресс , р. 157.

Текст Abstract Submission-1 (Chucheva G.).doc Загрузить (43kB)

Тип объекта:	Доклад на конференции или семинаре (Доклад)
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Чучева Г.В., Гольдман Е.И., Набиев А., Нарышкина В.Г.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/5138

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект